レーストラックメモリー？

京大ら、磁壁の電流による移動の要因を解明　Ｙａｈｏｏ！ニュース

＞京都大学(京大) 化学研究所の小野輝男教授、電気通信大学の仲谷栄伸教授およびNECらによる研究グループは、磁性ナノ細線における磁壁移動のしきい値を決める要因が、電流と磁場でまったく異なることを発見した。

＞磁性体の磁区と磁区の境界を磁壁と呼ぶが、磁壁はナノスケールの磁化のねじれ構造で、これを電流で移動させることが可能であることは、2004年に京都大学の研究グループが示していた。

＞その後、同現象を利用した新規メモリ素子がIBMやNECにより提案されており、

え～～～っと，これって・・・「レーストラックメモリー」のこと？

　レーストラックメモリーについての最初の情報は，日経サイエンス２００９年９月号の記事（スピンで走る　超高速レーストラックメモリー）でした。

って，今一つ確証が持てなかった（大量の本の山に埋もれて，肝心の日経サイエンス誌の誌面が確認できなかった）ので，検索してみたら・・・上記のとおり，確かに日経サイエンスで掲載されていた記事だということは分かりました。

ただ・・・そもそもの記事というか，米ＩＢＭの発表は２００８年４月ということも同時に判明しましたが（苦笑）


Ｙａｈｏｏ！ニュースの記事中には，「レーストラックメモリー」の用語は一切登場しませんが，

＞磁性ナノ細線における磁壁移動

という表現がされているので，多分，これでしょう。


で，今回の研究結果のポイントは，

＊磁壁が電流や磁場で動き出すしきい値である「しきい電流」，「しきい磁場」について，両者の間に相関がないことが判明したこと。だと思います。

これによって，

＞しきい電流としきい磁場に相関が無いことから、高いしきい磁場をもつ熱安定性の高い素子においても低電流で磁壁を駆動できると考えられるという。しきい電流値が外部磁場に依存しないことも大きな利点としており、これにより、高い外部擾乱耐性と安定動作を兼ね備えた、低消費電力な素子の実現が期待できるとしており、次世代不揮発性磁気メモリの開発に新たな進展をもたらすことが期待できると研究グループでは説明している。

となるわけで。


うん。楽しみなネタだ。